然而，本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM（高带宽内存）的爆发式增长。AI芯片（如英伟达H200/B200）对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM，挤占了原本用于生产手机LPDDR（低功耗内存）的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。
杜耀豪的母亲与兄弟姊妹的合影，摄于1954年。（受访者供图）
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论文显示，Silica 采用两类体素写入方式：一种是基于折射率各向异性的双折射体素，另一种是基于折射率变化的相位体素。
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